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        英飛凌發布兩款合封氮化鎵功率芯片

        2021-05-30      分類:行業新聞

        面向30 W-500 W功率級應用的CoolGaN? IPS系列產品

        英飛凌CoolGaNTM IPS 產品


        英飛凌近日發布的集成功率級(IPS)產品 CoolGaN? IPS 系列產品,進一步拓展其寬禁帶( WBG)功率元件組合。IPS 基本的產品組合包括半橋和單通道產品,目標市場為低功率至中功率的應用,例如充電器、適配器以及其他開關電源(SMPS)等。

        CoolGaNTM IPS可提供:

        英飛凌600 V CoolGaNTM 半橋式 IPS IGI60F1414A1L適合低功率至中功率范圍、小型輕量化的設計應用。其外觀為8x8 QFN-28封裝型式,針對散熱效能進行強化,可為系統提供極高的功率密度。此產品包含兩個 140 mΩ / 600 V CoolGaN 增強型 (e-mode) HEMT 開關以及英飛凌 EiceDRIVER?系列中的電氣隔離專用高低側柵極驅動器。

        IGI60F1414A1L的關鍵特性:

        數字輸入,功率輸出構建模塊:具備 2 個數字 PWM 輸入,易于驅動

        可根據應用需求配置開關性能:在PCB上構建低電感環路,柵極路徑可配置

        高度精確且穩定的時序:允許設置更短的死區時間以最大限度地提高系統效率

        熱增強型 8 x 8 mm QFN-28 封裝:小型封裝,適用于緊湊型系統設計

        采用加強散熱型8x8 QFN-28封裝的IGI60F1414A1L已開放訂購!

        為什么選擇氮化鎵功率半導體器件?

        “大功率、高功率密度、通用性(如Type-C)以及合適的成本是未來充電器市場的主要發展方向,也是英飛凌作為半導體解決方案供應商,所致力于切入和配合的市場需求?!庇w凌電源與傳感系統事業部應用市場經理盧柱強表示。

        與硅材料相比,氮化鎵(GaN)具有多種基礎優勢特性。該材料具有高臨界電場,使其尤為適用于功率半導體器件,同時相較于硅質 MOSFET,氮化鎵器件具備出色的動態特征導通電阻且電容更低。上述特性讓 GaN HEMT 成為高速開關應用的理想之選。

        氮化鎵器件不僅可降低耗電和總系統成本,還能提高工作頻率、功率密度以及系統整體效率,正日益受到充電器市場和廠商的重視。這一點,也可以從市場上不斷涌現的氮化鎵充電器新品得以印證。

        據介紹,自2018年起,英飛凌的氮化鎵開關管的產品就已實現量產,在通訊和服務器領域持續、穩定地為客戶提供電源支持。針對USB-C充電器,除了前文介紹的CoolGaN? 集成功率級(半橋 + 驅動器)IPS IGI60F1414A1L,英飛凌還提供多種氮化鎵解決方案。

        適用于USB-C充電器和適配器的英飛凌氮化鎵解決方案

        一站式的USB-C 充電解決方案

        作為快充和數據傳輸標準的 USB-C 供電技術正成為市場主流。USB-C PD 充電器以優化終端用戶體驗為主要目標,旨在提供緊湊型高功率充電解決方案,以提升充電速度和效率。

        通過與賽普拉斯的強強聯合,英飛凌為客戶提供更全面的USB-C充電器解決方案,涵蓋功率級、原邊、副邊,還有控制器、協議、高壓硅MOS、低壓硅MOS、氮化鎵等,滿足客戶對于大功率、小型化、統一性、通用性、成本優化方案等需求。

        一站式解決方案,支持客戶打造高性能、高可靠性且高成本效益的充電器產品

        覆蓋不同功率范圍的充電器方案,滿足客戶的多樣化需求

        領先的功率開關管(如MOSFET),助力客戶提升產品性能和整體競爭力

        作為市場上全面提供涵蓋硅、碳化硅和氮化鎵的全系列功率產品的公司,英飛凌可以根據客戶實際需求和應用場景,提供更優器件。此次CoolGaN? IPS系列的發布,也體現出英飛凌在寬禁帶領域的持續布局和產品創新。


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